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存儲芯片市場年均增長9%
存儲器行業(yè)正處于飛速增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報告中預計，2016~2022年整個存儲器市場的復合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額共計占約95%
2017-12-06
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存儲器芯片景氣或觸頂
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲器芯片獲利或?qū)㈦y以繼續(xù)增長為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標價下調(diào)3 4%至280萬韓元。大摩
2017-12-05
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RAM ROM SRAM DRAM 四種存儲器的優(yōu)缺點
RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按照需求隨便取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使
2017-12-05
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DDR5芯片與DDR、GDDR、LPDDR的對比
2017年3月，JEDEC協(xié)會宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前，DDR5的規(guī)范制定已經(jīng)到0 5版本，會在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達32Gb，并預計會在2020年開始商用。
2017-12-04
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單片機的片內(nèi)存儲器跟片外存儲器的詳解
存儲器是單片機的又一個重要組成部分，下圖展示了一種存儲容量為256個單元的存儲器結(jié)構(gòu)示意圖。其中每個存儲單元對應(yīng)一個地址，256個單元共有256個地址，用兩位16進制數(shù)表示，即存儲器的
2017-12-04
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內(nèi)存價格明年依舊持續(xù)維持高位
近一年多來，內(nèi)存價格一直居高不下，雖然這一段時間暫時有所平穩(wěn)，漲價的勢頭似乎暫時被遏制住了，但想真正降價的話短期內(nèi)還是不可能的。
2017-12-01
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